机译:掺杂气体对生长速率轴向均匀性和LPCVD原位掺杂多晶硅层电学性能的影响
机译:磷扩散LPCVD多晶硅与原位低压氧化钝化触点
机译:使用快速热退火(RTA)制备的原位磷掺杂多晶硅及其对多晶硅钝化 - 接触太阳能电池的应用
机译:LPCVD原位N型掺杂多晶硅处理通量优化和实施成为工业太阳能电池过程流程
机译:使用原位磷掺杂的选择性硅(1-x)锗(x)合金形成CMOS技术节点之间50 nm的n(+)p结。
机译:绝缘体(SOI)衬底上的硅的磷单层掺杂(MLD)
机译:在玻璃基质上获得高电导率的原位磷掺杂LPCVD多晶硅层的条件
机译:应用于原位p掺杂多晶硅LpCVD的设备建模方法比较